Novo originalno integrirano vezje BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC čip
BSZ040N06LS5
Logični nivo močnostnih MOSFET-jev Infineon OptiMOS™ 5 je zelo primeren za brezžično polnjenje, adapterje in telekomunikacijske aplikacije.Nizek naboj vrat naprave (Q g) zmanjša izgube preklapljanja brez ogrožanja prevodnih izgub.Izboljšane vrednosti zmogljivosti omogočajo delovanje pri visokih preklopnih frekvencah.Poleg tega pogon logičnega nivoja zagotavlja nizke vrednosti vratzadrževalna napetost (V GS(th)), ki omogoča, da se MOSFET-ji poganjajo pri 5 V in neposredno iz mikrokrmilnikov.
Povzetek funkcij
Low R DS(on) v majhni embalaži
Nizek naboj vrat
Nižji izhodni naboj
Združljivost logične ravni
Prednosti
Zasnove z večjo gostoto moči
Višja preklopna frekvenca
Zmanjšano število delov je povsod, kjer je na voljo napajanje 5 V
Poganja neposredno iz mikrokontrolerjev (počasno preklapljanje)
Zmanjšanje stroškov sistema
Parametri
| Parametri | BSZ040N06LS5 |
| Budget Cena €/1k | 0,56 |
| Ciss | 2400 pF |
| Coss | 500 pF |
| ID (@25°C) maks | 101 A |
| IDpuls max | 404 A |
| Montaža | SMD |
| Delovna temperatura min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot maks | 69 W |
| Paket | PQFN 3,3 x 3,3 |
| Število žebljičkov | 8 zatičev |
| Polarnost | N |
| QG (tip @ 4,5 V) | 18 nC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (vklopljen) (@4,5 V LL) maks | 5,6 mΩ |
| RDS (vklopljen) (@4,5 V) maks | 5,6 mΩ |
| RDS (vklopljen) (@10V) maks | 4 mΩ |
| Rth maks | 1,8 K/W |
| RthJA maks | 62 K/W |
| RthJC maks | 1,8 K/W |
| VDS maks | 60 V |
| VGS(th) min maks | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
